《阿凡达2》终极预告来了！

SnapdragonWear2100比Snapdragon400小30%，阿凡这很重要，如果你想要设计的是好看又舒适的手表。

值得一提的是，终极他们还发明了一种合成金属硫族半导体超细纳米线的较普适性方法，即压力诱导配体辅助低温溶剂热合成策略。预告（b）单晶胞ZnS量子线的HAADF-STEM图(c-d)不同倾转角度下拍摄的单晶胞ZnS量子线的HRTEM图：(c)+15°和(d)-15°图3：单晶胞ZnS量子线的结构模拟和球差校正STEM表征（a）模拟的单晶胞ZnS量子线的晶胞结构模型图（b）模拟的单晶胞ZnS量子线晶胞结构模型沿方向的投影（c）模拟的单晶胞ZnS量子线晶胞结构模型沿方向的投影（d）单晶胞ZnS量子线的球差校正HAADF-STEM图图4:单晶胞ZnSe量子线的光学性质和结构表征（a）单晶胞ZnSe量子线的紫外-可见吸收光谱（b）单晶胞ZnSe量子线的HRTEM图（c）模拟的单晶胞ZnSe量子线晶胞结构模型图（d）模拟的单晶胞ZnSe量子线晶胞结构模型沿  方向的投影图5：基于单晶胞ZnS量子线的自供能日盲紫外光探测器及器件性能（a）基于单晶胞ZnS量子线的自供能光电化学型日盲紫外光探测器的结构示意图。

在光电探测器、阿凡纳米器件等领域显示出广泛的应用前景。更为重要的是，终极得益于极致的量子限域效应，终极ZnSSSNW的第一激子吸收峰已蓝移至273nm，其能隙显著扩宽至4.35eV，因此仅高选择性地吸收波长短于280nm的紫外光（即日盲紫外光）。预告图6：Mn2+掺杂单晶胞ZnS量子线基光致变色卡（a）单晶胞ZnS量子线及其Mn2+掺杂量子线的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱。

阿凡(e-f)探测器检测UV臭氧清洗机（主要发射184和254nm波长紫外光）的短波光泄漏实物图。终极SSNW在合成上的艰巨性集中体现在：1）缺少有效的方法以控制反应系统在成核阶段仅产生单晶胞尺寸的晶核。

该工作为合成和研究超细一维纳米材料打开了一扇新的大门，预告同时也为构建高性能光电探测器件提供了一种新思路。

阿凡这类超细超长纳米线为纳米光电器件提供了理想的构筑单元（中国发明专利201710067533.5）。在品牌林立且竞争激烈的门窗行业中，终极造势者红一时，顺势者分享之，唯有内外兼修者才能始终笑傲江湖。

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